Strojna oprema, 3. november 2009
Intel in Numonyx z novim mejnikom pri razvoju pomnilnika PCM
Podjetji Intel in Numonyx sta dosegli prelomni dosežek pri razvoju nove pomnilniške tehnologije PCM (phase change memory), ki združuje mnoge prednosti današnjih različnih vrst pomnilnika. Raziskovalcem je prvič uspelo razviti 64 Mb testni čip, ki omogoča, da na eno ploščo postavimo več plasti celičnih polj PCM. To odkritje odpira možnosti razvoja pomnilniških naprav, ki ohranijo podatke tudi brez električnega napajanja (non-volatile memory), z večjimi zmogljivostmi, nižjo porabo energije in optimalno izrabo prostora.
Najnovejši dosežek je rezultat skupnega raziskovalnega programa podjetij Numonyx in Intel, ki je posvečen raziskovanju večplastnih celičnih polj PCM. Raziskovalci so sedaj sposobni prikazati vertikalno integrirano pomnilniško celico, poimenovano PCMS (phase change memory and switch). Možnost večplastne postavitve celic PCMS omogoča višje pomnilniške gostote, ob tem pa se ohrani zmogljivost tehnologije PCM, kar je pri tradicionalnih pomnilniških tehnologijah vedno težje doseči.
Več informacij o pomnilniški celici, celičnih poljih, preizkusu in rezultatih bo objavljenih v dokumentu »A Stackable Cross Point Phase Change Memory«, ki ga bodo raziskovalci predstavili na dogodku 2009 International Electron Devices Meeting (Baltimore, 9. december 2009). (aNET)
Povezani članki – Zemanta
Stackable memory advance brings flash-killer closer to market (arstechnica.com)
Phase-Changing Memory Is Closer To The Market And Might Just Kill Flash [Memory] (gizmodo.com)
Intel, Numonyx hail breakthrough in phase-change memory (infoworld.com)
